C.A. Sébenne: шукати на сайті Z-Library

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 567 KB

english, 1973

Surface states from photoemission threshold measurements on a clean, cleaved, Si (111) surface

Sebenne, C., Bolmont, D., Guichar, G., Balkanski, M.

Журнал:

Рік:

1975

Мова:

english

Файл:

PDF, 453 KB

english, 1975

First-Order Stark Effect in Phosphorus-Doped Silicon from Photoconductivity on Impurity Levels

Guichar, G. M., Sebenne, C., Proix, F., Balkanski, M.

Журнал:

Рік:

1972

Мова:

english

Файл:

PDF, 330 KB

english, 1972

Photoemission yield under two-quantum excitation in Si

Bensoussan, M., Moison, J. M., Stoesz, B., Sébenne, C.

Журнал:

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 262 KB

english, 1981

Influence of Phonons on the Impurity Photoconductivity Spectrum of Phosphorus-Doped Silicon

Guichar, G. M., Proix, F., Sebenne, C., Balkanski, M.

Журнал:

Рік:

1972

Мова:

english

Файл:

PDF, 417 KB

english, 1972

Structural and electronic properties of cleaved Si(111) upon room-temperature formation of an interface with Ag

Bolmont, D., Chen, Ping, Sebenne, C. A., Proix, F.

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 605 KB

english, 1981

Modifications of Space Charge Layer on Inp110) Surface Induced by Atomic Hydrogen at Very Low Exposures

U. del Pennino, R. Biagi, C. ariani, L. Šiller, A. Amoddeo, F. Proix, C. A. Sébenne

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 176 KB

english, 1997

Heteroepitaxy of GaSe layered semiconductor compound on Si(111) 7 × 7 substrate: a Van der Waals epitaxy?

Le Thanh Vinh, M. Eddrief, C. Sébenne, A. Sacuto, M. Balkanski

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 1994

A transmission electron microscopy structural analysis of GaSe thin films grown on Si(111) substrates

A. Koëbel, Y. Zheng, J.F. Pétroff, M. Eddrief, Le Thanh Vinh, C. Sébenne

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 664 KB

english, 1995

Raman scattering from localized vibrational modes of boron impurities in silicon

W. Nazarewicz, M. Balkanski, J.F. Morhange, C. Sébenne

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

1971

Мова:

english

Файл:

PDF, 160 KB

english, 1971

Structure and electronic properties of cleaved Si(111) upon Ge adsorption

P. Chen, D. Bolmont, C. Sébenne

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 245 KB

english, 1982

Effect of surface reconstruction on the adsorption of Ge on clean Si(111)

Ping Chen, D. Bolmont, C.A. Sebenne

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 217 KB

english, 1983

Room temperature interaction of ionised nitrogen with cleaved GaAs

A El Khalki, F Proix, CA Sébenne

Журнал:

Vacuum

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 371 KB

english, 1989

p-type overdoping at clean Si(111) surfaces upon vacuum annealing

S Bensalah, J.-P Lacharme, C.A Sébenne

Журнал:

Vacuum

Рік:

1990

Мова:

english

Файл:

PDF, 143 KB

english, 1990

Preface

M. Balkanski, C. Sébenne

Журнал:

Рік:

1980

Мова:

english

Файл:

PDF, 60 KB

english, 1980

Electronic properties of Ga/GaAs(110) upon interface formation

D. Bolmont, P. Chen, C.A. Sébenne

Журнал:

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 61 KB

english, 1982

Investigation of the Cu/GaAs(110) interface formation

D. Bolmont, V. Mercier, P. Chen, H. Lüth, C.A. Sébenne

Журнал:

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 130 KB

english, 1983

Effect of temperature on the Ge/GaAs(110) interface formation

Ping Chen, D. Bolmont, C.A. Sébenne

Журнал:

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 42 KB

english, 1983

Room temperature adsorption and growth of Ga and In on cleaved Si(111)

D. Bolmont, P. Chen, C.A. Sébenne, F. Proix

Журнал:

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 65 KB

english, 1984

Electronic properties of cleaved Si(111) upon room-temperature deposition of Au

A. Taleb-Ibrahimi, C.A. Sébenne, D. Bolmont, P. Chen

Журнал:

Рік:

1984

Мова:

english

Файл:

PDF, 55 KB

english, 1984

Effect of Cu deposition on structural and electronic properties of cleaved Si(111) surfaces

A. Taleb-Ibrahimi, V. Mercier, C.A. Sébenne, D. Bolmont, P. Chen

Журнал:

P. Maigné, C.A. Sébenne, A. Taleb-Ibrahimi

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 43 KB

english, 1985

Investigation of the Ag/InP(110) interface formation

Журнал:

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 48 KB

english, 1985

Adsorption of Sn on cleaved Si(111) surfaces

A. Taleb-Ibrahimi, C.A. Sebenne, F. Proix, P. Maigne

Журнал:

A. Taleb-Ibrahimi, C.A. Sébenne

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 131 KB

english, 1985

Effect of valency in metal adsorption on Si(111): The case of Sb on the cleaved surface

Журнал:

I. Andriamanantenasoa, J.P. Lacharme, C.A. Sébenne

Рік:

1986

Мова:

english

Файл:

PDF, 51 KB

english, 1986

Effect of room-temperature adsorption of Sn on Si(100) surface properties

Журнал:

S. Bensalah, J.P. Lacharme, C.A. Sébenne

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 46 KB

english, 1987

√3×√3 reconstruction along the (111) face of highly Boron-doped Si upon vacuum annealing

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 46 KB

english, 1989

First steps of the build-up of the Si3N4/Ga0.47In0.53As interface by UV-induced chemical vapor deposition

J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, C.A. Sébenne

Журнал:

S.M. Cherif, J.-P. Lacharme, C.A. Sébenne

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 79 KB

english, 1991

Effect of NH3 on Si(100) vicinal surfaces

Журнал:

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 74 KB

english, 1991

A photoemission study of ammonia adsorption on Si(100)2×1 and Si(111)2×1 surfaces

J.L. Bischoff, L. Kubler, D. Bolmont, C.A. Sébenne, J.-P. Lacharme, J.E. Bonnet, K. Hricovini

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 76 KB

english, 1993

Clean Si(110): a surface with intrinsic or extrinsic defects?

N. Safta, J.-P. Lacharme, C.A. Sébenne

Журнал:

C.A. Sébenne, J.P. Lacharme, I. Andriamanantenasoa, M. Khial

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 69 KB

english, 1993

Local roughness and surface states on Si(001): Analysis of vacuum annealings and oxygen adsorption-desorption processes

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 457 KB

english, 1989

Interface formation on n- and p-CdTe(110) surfaces with Cu and Au

B.A. Orlowski, J.P. Lacharme, C.A. Sébenne, S. Bensalah

Журнал:

B.A. Orlowski, J.P. Lacharme, C.A. Sébenne

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 426 KB

english, 1989

Electronic properties of clean CdSe surfaces upon Fe adsorption

Журнал:

S.M. Chérif, J.-P. Lacharme, C.A. Sébenne

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 171 KB

english, 1992

Morphological effect of a clean Si surface on NH3 dissociative adsorption

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 277 KB

english, 1992

Preface

C. Sébenne, J. Lecante, M. Balkanski

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 65 KB

english, 1993

Early stages of H2O adsorption on clean Si(100)

J.P. Lacharme, C. Sébenne, S.M. Chérif, M. Chikhi, N. Safta, M.A. Zaïbi

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 1993

Study of the heterointerfaces InSe on GaSe and GaSe on InSe

D. Fargues, L. Brahim-Otsmane, M. Eddrief, C. Sébenne, M. Balkanski

Журнал:

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 716 KB

english, 1993

Surface electronic properties of GaSe-covered Si(111) upon UHV thermal desorption of the GaSe epitaxial layer

H. Reqqass, J.-P. Lacharme, C.A. Sébenne, M. Eddrief, V. Le Thanh

Журнал:

Umberto del Pennino, Carlo Mariani, Antonino Amoddeo, François Proix, Claude Sébenne

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 325 KB

english, 1996

Interaction of InP(110) with atomic hydrogen: a stretching mode investigation

Журнал:

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 571 KB

english, 1993

Electronic states on clean Si(110)16×2 and Si(110)2×3-Sb surfaces by photoeemission and optical spectroscopy

A. Cricenti, P. Perfetti, B. Nesterenko, G. LeLay, C. Sebenne

Журнал:

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 1995

High resolution syncrotron radiation Si 2p core-level spectroscopy of Si(110)16x2

A. Cricenti, G. Le Lay, V. Yu Aristov, B. Nesterenko, N. Safta, J.P. Lacharme, C.A. Sebenne, A. Taleb-Ibrahimi, G. Indlekofer

Журнал:

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 296 KB

english, 1995

Electron states at abrupt metal-GaAs(110) interfaces

D. Bolmont, P. Chen, V. Mercier, C.A. Sebenne

Журнал:

Physica B+C

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 223 KB

english, 1983

Hydrogen action in the surface space charge region of highly doped silicon

A. Akremi, J.P. Lacharme, C.A. Sébenne

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 254 KB

english, 1991

HREELS investigation of the first stage of interaction of atomic hydrogen with GaAs(1 1 0) surfaces

U. del Pennino, Carlo Mariani, A. Amoddeo, F. Proix, C.A. Sébenne

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 317 KB

english, 1991

Stress relaxation at forming GaSe–Si(1 1 1) interfaces

K Amimer, M Eddrief, C.A Sébenne

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 120 KB

english, 2000

Si(110)16 × 2 and Si(110)2 × 3-Sb surfaces studied by photoemission and optical spectroscopy

A. Cricenti, P. Perfetti, B. Nesterenko, G. LeLay, C. Sebenne

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 1996

Valence band of Cd1−xFexSeFe in resonant photoemission spectra

B.A. Orlowski, B.J. Kowalski, N. Barrett, D. Martinotti, C. Guillot, J.-P. Lacharme, C.A. Sébenne

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 292 KB

english, 1996

Influence of surface reconstruction on MBE growth of layered GaSe on Si(111) substrates

H. Reqqass, J.-P. Lacharme, M. Eddrief, C.A. Sébenne, V. Le Thanh, Y.L. Zheng, J.-F. Pétroff

Журнал: